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XUV04M-GE
全真空X光相機(jī)采用新一代無(wú)抗反射鍍膜背照式sCMOS芯片,在對(duì)應(yīng)1.2eV-1000eV光子能量范圍內(nèi)量子效率大幅提升,整體超過(guò)了90%,部分波段達(dá)到了近乎100%的超高水平,具有更專業(yè)的軟X射線、極紫外成像性能和抗輻射損傷能力。采用深度制冷設(shè)計(jì),可兼容高真空腔體環(huán)境應(yīng)用,大幅降低相機(jī)本底噪聲和熱噪聲,提升相機(jī)的長(zhǎng)時(shí)曝光工作時(shí)間。
產(chǎn)品型號(hào) XUV04M-GE
圖像傳感器 背照式sCMOS
快門模式 卷簾快門/仿全局快門
圖像陣列 2048×2048(H×V)
像素尺寸 6.5µm×6.5µm
靶面尺寸 18.8mm,1.2英寸
數(shù)據(jù)位寬 16bit
動(dòng)態(tài)范圍(典型值) 87dB
讀出噪聲(典型值) 2.1e-
滿肼電子(典型值) 55000e-
暗電流(典型值) 0.4e-/p/s@-10℃
光譜范圍 1.2eV~10keV
峰值量子效率 約100%,詳見(jiàn)光譜響應(yīng)曲線
響應(yīng)線性度 >99%
DSNU(典型值) 1.6e-
PRNU(典型值) 1.3%
最高幀頻 4fps
曝光時(shí)間 60µs~50s
數(shù)據(jù)接口及協(xié)議 千兆以太網(wǎng)協(xié)議;RJ45
控制/觸發(fā)接口 1in,BNC同軸電纜,LVTTL電平,沿觸發(fā)
制冷/散熱 半導(dǎo)體制冷、儲(chǔ)熱材料吸熱、低于環(huán)境溫度10~30℃,控溫精度0.1℃
電源/功耗 12VDC,約10~30W
真空持續(xù)工作
時(shí)間
4小時(shí)
光學(xué)接口 C/F口
外形尺寸 100mm×100mm×159mm(W×H×L)
重量 約3500g
溫度濕度 工作溫度:0℃~30℃;存儲(chǔ)溫度:-10℃~30℃;濕度:10%~85%
真空兼容度 10-3Pa
操作系統(tǒng) Windows/Linux/國(guó)產(chǎn)操作系統(tǒng)
二次開(kāi)發(fā)庫(kù) C、C#、C++、Labview、VB
 
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