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X光相機（全真空及半真空）采用新一代無抗反射鍍膜背照式sCMOS芯片，在對應(yīng)1.2eV-1000eV光子能量范圍內(nèi)量子效率大幅提升，整體超過了90%，部分波段達到了近乎100%的超高水平，具有更專業(yè)的軟X射線、極紫外成像性能和抗輻射損傷能力。采用深度制冷設(shè)計，可兼容高真空腔體環(huán)境應(yīng)用，大幅降低相機本底噪聲和熱噪聲，提升相機的長時曝光工作時間。
 

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