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半真空X光相機(jī)采用新一代無(wú)抗反射鍍膜背照式sCMOS芯片，在對(duì)應(yīng)1.2eV-1000eV光子能量范圍內(nèi)量子效率大幅提升，整體超過(guò)了90%，部分波段達(dá)到了近乎100%的超高水平，具有更專業(yè)的軟X射線、極紫外成像性能和抗輻射損傷能力。

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